P-n переход

Различают гомопереход, получающийся в результате изменяющегося в пространстве легирования донорной и акцепторной примесями одного и того же полупроводника напр. Термин " р - п.

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом: принцип работы и применение

Электронно-дырочный или p-n переход — это контакт между областями полупроводника n- и p-типа. Электронно-дырочный переход создается в одном кристалле полупроводника в основном при помощи трех технологических операций. Это сплавная технология в настоящее время не применяется , инжектирование примесей и эпитаксия наращивание дополнительных слоев атомов на поверхность кристалла.

Устройство полупроводникового диода, p-n переход.

Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия

Свойства p-n-перехода. Полупроводниковый диод. Принцип действия транзистора.

1.2 Ширина p-n перехода. Ёмкость p-n перехода.

Что такое электронно-дырочный переход p-n-переход

Понятие электронно-дырочного перехода и факторы, влияющие на его свойства

В статье кратко описано устройство полевых транзисторов с управляемым p - n -переходом и приведены схемы их использования. Статья предназначена для ознакомления с транзисторами, а не для подробного изучения их особенностей и схемотехники. В г. Схематическое изображение транзисторов с управляющим p-n-переходом.